Apple iPhone 6S avrà 2 GB di memoria RAM LPDDR4

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Non c’è ancora nulla di ufficiale, ma sembra che il prossimo iPhone 6S sarà provvisto di 2 GB di memoria RAM di tipo LPDDR4, un quantitativo doppio rispetto agli ultimi modelli del melafonino, compresi l’iPhone 6 e l’iPhone 6 Plus.

Al momento dell’annuncio dei nuovi iPhone 6, molti fan di Apple erano rimasti che il telefono ha ancora sotto la scocca 1 GB di memoria RAM, mentre sia l’iPad Air 2 che gran parte dei prodotti della concorrenza hanno 2 GB di memoria RAM (e in alcuni casi anche 3 o 4 GB).

Stando alle ultime indiscrezioni diffuse sul web, i tecnici di Apple avrebbero deciso di dotare il prossimo iPhone 6S (nome provvisorio) con 2 GB di memoria RAM di tipo LPDDR4, molto più veloce rispetto all’attuale LPDDR3. Inizialmente si credeva che l’azienda statunitense avrebbe continuato ad utilizzato la memoria di tipo LPDDR3, meno costosa e più facile da produrre, ma sembra che i metodi di produzione dei chipset siano migliorati.

Se queste voci di corridoio sono corrette, i banchi di memoria RAM LPDDR4 verranno prodotti da Hynix (50% della produzione), Samsung (30%) e Micron-Elpida (20%). Come già detto poco sopra, uno dei vantaggi della memoria LPDDR4 rispetto alla classica LPDDR3 è che i tempi di accesso sono fino a due volte più rapidi, e inoltre i consumi energetici sono inferiori.

Vi ricordiamo che il nuovo iPhone 6S, in uscita dopo l’estate, dovrebbe ereditare il design dell’attuale iPhone 6, ed essere sempre proposto nelle varianti da 4.7 e 5.5 pollici. Si vocifera anche sull’arrivo di un ipotetico iPhone 7 da 4 pollici, indirizzato a tutti coloro che sono in cerca di un melafonino potente e compatto. La memoria RAM verrà aumentata a 2 GB, e il processore molto probabilmente sarà un quad core, con frequenza operativa attorno ai 2 Ghz. Ci aspettiamo poi dei miglioramenti in campo multimediale, con una webcam frontale da 5 Megapixel e una fotocamera posteriore con sensore Sony Exmor RS da 13 Megapixel.

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